アメリカ、600度を超える耐熱コンピュータメモリで新たな可能性を開拓

600℃に耐えられる装置が極限用途向けに開発されました。

ミシガン大学の研究者たちは、600℃という極限の温度に耐えられる固体メモリデバイスを開発しました。この革新は、従来のメモリデバイスが耐えられない温度を超えた環境、たとえば融合炉やジェットエンジンのような極限の状況での電子機器の使用を根本的に変える可能性があります。

極限条件で動作する新たなメモリデバイス

従来のシリコンベースのメモリデバイスが高温で失敗するのとは対照的に、この新技術は酸素イオンを利用して情報を保存します。この革新により、高温条件下でもメモリシステムを安定させることが可能です。

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メモリデバイスの仕組みと革新性

このメモリシステムは、データの保存に電子ではなく酸素イオンを使用します。酸素イオンはタングステン酸化物と金属タングステンの層の間を移動し、固体電解質によって促進されます。この革新的なメカニズムにより、熱によって引き起こされる消去からメモリを保護することが可能です。

スイッチングメカニズムとその安定性

酸素イオンの移動は、プラチナ製の3つの電極によって制御され、イオンはタングステン酸化物の層に出入りし、材料の状態を導体から絶縁体へと変化させます。この電気化学的なプロセスは、バッテリーの動作を模倣し、デジタル情報を符号化するために利用されます。

新技術の利点と将来の応用

このデバイスの高温での動作能力によって、従来不可能だった高温用途向けの電子機器の新たな可能性が開かれます。さらなる開発と投資により、このデバイスはメガバイトやギガバイトのデータを保存する能力を持つと期待されています。

この固体メモリ技術の進展は、電子機器業界において重要な転換点となる可能性があり、温度制約によって制限されていたアプリケーションに対して実行可能なソリューションを提供することができます。この革新の影響は広範囲にわたる可能性があり、宇宙探査から産業の進展に至るまで、厳しい条件下での電子システムの信頼性と性能を担保します。

• 霧島健太郎 – サイバーセキュリティ専門誌「セキュリティ・ジャーナル」編集者
• 田村直樹 – ITジャーナリスト、著書「情報セキュリティの未来」
• 鈴木真理 – 技術評論家、特集「新時代のメモリ技術」寄稿者